RN1503(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
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Teilenummer | RN1503(TE85L,F) |
---|---|
Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Referenzpreis (in US-Dollar) | 3000 pcs | ||||
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$0.031 |
- Produktparameter
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- Datenblatt
Product parameter
Teilenummer | RN1503(TE85L,F) |
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Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV |
Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
Verfügbare Menge | 727895 pcs |
Datenblatt | RN1501-06 |
Produktfoto | RN1503(TE85L,F).jpg |
Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 100mA |
Spannung - Durchschlag | SMV |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 50V |
Serie | - |
RoHS Status | Tape & Reel (TR) |
Widerstand - Emitter-Basis (R2) (Ohm) | 22k |
Widerstand - Base (R1) (Ohm) | 250MHz |
Leistung - max | 300mW |
Polarisation | SC-74A, SOT-753 |
Andere Namen | RN1503(TE85LF)TR |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 22k |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Hersteller-Teilenummer | RN1503(TE85L,F) |
Frequenz - Übergang | 70 @ 10mA, 5V |
Expanded Beschreibung | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMV |
Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 100nA (ICBO) |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
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