STU10N60M2
STMicroelectronics
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| Teilenummer | STU10N60M2 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 75 pcs | 150 pcs | 525 pcs | 1050 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.691 | $0.553 | $0.484 | $0.376 | $0.297 | |
- Produktparameter
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- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | STU10N60M2 |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V IPAK |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 65538 pcs |
| Datenblatt | STx10N60M2 |
| Produktfoto | STU10N60M2.jpg |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | I-PAK |
| Serie | MDmesh™ II Plus |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 85W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen | 497-13977-5 STU10N60M2-ND |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13.5nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole I-PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 7.5A (Tc) |
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