SIHP22N60E-E3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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| Teilenummer | SIHP22N60E-E3 |
|---|---|
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Referenzpreis (in US-Dollar) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.694 | $1.512 | $1.24 | $1.004 | $0.847 | |
- Produktparameter
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- Datenblatt
Product parameter
| Teilenummer | SIHP22N60E-E3 |
|---|---|
| Hersteller | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB |
| Bleifreier Status / RoHS Status | Bleifrei / RoHS-konform |
| Verfügbare Menge | 45509 pcs |
| Datenblatt | Packaging InformationSIHP22N60E |
| Produktfoto | SIHP22N60E-E3-001.jpg , SIHP22N60E-E3-002.jpg |
| Kategorie | Diskrete Halbleiter-Produkte |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Verlustleistung (max) | 227W (Tc) |
| Verpackung | Tube |
| Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
| Andere Namen | SIHP22N60EE3 |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Typ FET | N-Channel |
| FET-Merkmal | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| detaillierte Beschreibung | N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
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