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SMUN5311DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Teilenummer SMUN5311DW1T1G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
In Stock 871526 pcs
Referenzpreis
(in US-Dollar)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
$0.126$0.094$0.053$0.035$0.027
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Product parameter

Teilenummer SMUN5311DW1T1G
Hersteller AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beschreibung TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Bleifreier Status / RoHS Status Bleifrei / RoHS-konform
Verfügbare Menge 871526 pcs
Datenblatt MUN5311DW1, NSBC114EPXxx
Produktfoto SMUN5311DW1T1G.jpg
Kategorie Diskrete Halbleiter-Produkte
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse SC-88/SC70-6/SOT-363
Serie -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 10 kOhms
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Leistung - max 250mW
Verpackung Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen SMUN5311DW1T1GOSDKR
Befestigungsart Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang -
detaillierte Beschreibung Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 35 @ 5mA, 10V
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA
Basisteilenummer MUN53**DW1
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